MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4, VDSS 55 V, ID 60 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

60 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

55 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

17 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

110000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-15 V, +15 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

40 nC a 5 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Longitud

6.6mm

Profundidad

6.2mm

Material del transistor

Si

Serie

STripFET II

Altura

2.4mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C