MOSFET STMicroelectronics STD15NF10T4, VDSS 100 V, ID 23 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
23 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-100 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Profundidad
6.2mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+175 °C
Altura
2.4mm
Serie
STripFET
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
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$ 928
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 1.104,32
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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N
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23 A
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Tipo de montaje
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Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
80 m.Ω
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Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4V
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
70000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Material del transistor
Si
Longitud
6.6mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
30 nC a 10 V
Profundidad
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1
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