MOSFET STMicroelectronics LET9045F, VDSS 80 V, ID 9 A, M250 de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
STMicroelectronicsTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
9 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
80 V
Tipo de Encapsulado
M250
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
108 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-0.5 V, +15 V
Profundidad
6.09mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+200 °C
Material del transistor
Si
Longitud
9.91mm
Altura
3.94mm
Ganancia de Potencia Típica
17,7 dB
Datos del producto
Transistores RF-MOSFET, STMicroelectronics
Los transistores de radiofrecuencia son LDMOS adecuados para enlaces ascendentes de satélite de banda L y transistores de potencia DMOS en aplicaciones que abarcan de 1 MHz a 2 GHz.
MOSFET Transistors, STMicroelectronics
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$ 116.290
Each (In a Tray of 25) (Sin IVA)
$ 138.385,10
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N
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3
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
108 W
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
-0.5 V, +15 V
Profundidad
6.09mm
Número de Elementos por Chip
1
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+200 °C
Material del transistor
Si
Longitud
9.91mm
Altura
3.94mm
Ganancia de Potencia Típica
17,7 dB
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