Transistor Darlington, BD679, NPN 4 A, 80 V, HFE:750, SOT-32, 3 pines Simple

Código de producto RS: 102-4099Marca: STMicroelectronicsNúmero de parte de fabricante: BD679
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

4 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

80 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

SOT-32

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

750

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

0.2mA

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Altura

10.8mm

Ancho

2.7mm

Dimensiones del Cuerpo

7.8 x 2.7 x 10.8mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

7.8mm

Datos del producto

Transistores Darlington NPN, ST Microelectronics

Bipolar Transistors, STMicroelectronics

A broad range of NPN and PNP Bipolar Transistors from STMicroelectronics including General Purpose, Darlington, Power and High-Voltage devices in both SMT and Through-hole packages.

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$ 546

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 649,74

Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Tubo
50 - 50$ 546$ 27.300
100 - 200$ 520$ 26.000
250 - 450$ 492$ 24.600
500+$ 465$ 23.250

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Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

4 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

80 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

SOT-32

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

750

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

2.5 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

0.2mA

Temperatura Mínima de Operación

-65 °C

Altura

10.8mm

Ancho

2.7mm

Dimensiones del Cuerpo

7.8 x 2.7 x 10.8mm

Temperatura máxima de funcionamiento

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Longitud

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