IGBT, RJH60F3DPQ-A0#T0, N-Canal, 40 A, 600 V, TO-247 A, 3-Pines, 1MHZ Simple

Código de producto RS: 124-3701Marca: Renesas ElectronicsNúmero de parte de fabricante: RJH60F3DPQ-A0#T0
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Corriente Máxima Continua del Colector

40 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

600 V

Tensión Máxima Puerta-Emisor

±30V

Disipación de Potencia Máxima

178.5 W

Tipo de Encapsulado

TO-247 A

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.94 x 5.02 x 21.13mm

Capacitancia de puerta

1260pF

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

País de Origen

Japan

Datos del producto

IGBT Discretes, Renesas Electronics

IGBT Discretes & Modules

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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Corriente Máxima Continua del Colector

40 A

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Disipación de Potencia Máxima

178.5 W

Tipo de Encapsulado

TO-247 A

Tipo de montaje

Through Hole

Tipo de Canal

N

Conteo de Pines

3

Velocidad de Conmutación

1MHz

Transistor Configuration

Single

Dimensiones del Cuerpo

15.94 x 5.02 x 21.13mm

Capacitancia de puerta

1260pF

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

País de Origen

Japan

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IGBT Discretes, Renesas Electronics

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The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

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