MOSFET onsemi NVMYS011N04CTWGOS, VDSS 40 V, ID 35 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple

Name: MOSFET onsemi NVMYS011N04CTWGOS, VDSS 40 V, ID 35 A, LFPAK, SOT-669 de 4 pines, , config. Simple
Brand: onsemi
SKU: 1952547
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 195-2547Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVMYS011N04CTWG

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

28 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

4.25mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,9 nC a 10 V

Altura

1.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

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$ 1.173

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

$ 1.395,87

Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)

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Brand

onsemi

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

35 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

LFPAK, SOT-669

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

12 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

3.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

28 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

4.25mm

Número de Elementos por Chip

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+175 °C

Largo

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,9 nC a 10 V

Altura

1.15mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101