MOSFET onsemi NVMFS6H800NT1G, VDSS 80 V, ID 203 A, DFN de 5 pines, , config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

203 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

80 V

Tipo de Encapsulado

DFN EP

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

5

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

200000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Profundidad

6.1mm

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud

5.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

85 nC a 10 V

Altura

1.05mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

Malaysia