Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
5.1mm
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
Malaysia
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P.O.A.
1500
P.O.A.
1500
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onsemiTipo de Canal
P
Maximum Continuous Drain Current
100 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
-60 V
Tipo de Encapsulado
DFN EP
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
7,7 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
2.6V
Tensión de umbral de puerta mínima
1.2V
Disipación de Potencia Máxima
200000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Número de Elementos por Chip
1
Profundidad
6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
160 nC a 10 V
Temperatura máxima de funcionamiento
+175 °C
Longitud:
5.1mm
Altura
1.05mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.5V
País de Origen
Malaysia