MOSFET onsemi NVD5C434N, VDSS 40 V, ID 163 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 141-2078Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NVD5C434NT4G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

163 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Serie

NVD5C434N

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

117 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

80,6 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

6.73mm

Ancho

6.22mm

Número de Elementos por Chip

1

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Estándar de automoción

AEC-Q101

Altura

2.38mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 40 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 2.177

Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)

$ 2.590,63

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2,1 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4V

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

117 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Longitud:

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Ancho

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1

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