MOSFET onsemi NTR5198NLG, VDSS 60 V, ID 2,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 796-1381PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTR5198NLT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

2.2 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

155 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

900 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

5,1 nC a 10 V

Ancho

1.4mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

1.01mm

País de Origen

China

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET onsemi NTR5198NLG, VDSS 60 V, ID 2,2 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

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3

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Mejora

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2.5V

Disipación de Potencia Máxima

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Single

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Si

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