MOSFET onsemi NTR4003NG, VDSS 30 V, ID 560 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 790-5283Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTR4003NT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

560 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.4V

Disipación de Potencia Máxima

690 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

1,15 nC a 5 V

Profundidad

1.4mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

1.01mm

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 193

Each (In a Pack of 100) (Sin IVA)

$ 229,67

Each (In a Pack of 100) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi NTR4003NG, VDSS 30 V, ID 560 mA, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 100.

Producción -

Disponible en múltiplos de 100.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

100

Disponible en múltiplos de 100
100$ 19.300
200$ 38.600
300$ 57.900
400$ 77.200
500$ 91.500
600$ 109.800
700$ 128.100
800$ 146.400
900$ 164.700
1000$ 129.000
1100$ 141.900
1200$ 154.800
1300$ 167.700
1400$ 180.600
1500$ 193.500

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700$ 128.100
800$ 146.400
900$ 164.700
1000$ 129.000
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1400$ 180.600
1500$ 193.500

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
100 - 400$ 193$ 19.300
500 - 900$ 183$ 18.300
1000+$ 129$ 12.900

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N

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Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

2 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.4V

Disipación de Potencia Máxima

690 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.04mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Profundidad

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Material del transistor

Si

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