Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A, 4.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 mΩ, 200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,7 nC a 4,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Profundidad
2mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.75mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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$ 909
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 1.081,71
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
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Cantidad | Precio Unitario sin IVA | Por Pack |
---|---|---|
10 - 90 | $ 909 | $ 9.090 |
100 - 490 | $ 637 | $ 6.370 |
500 - 990 | $ 554 | $ 5.540 |
1000 - 2990 | $ 470 | $ 4.700 |
3000+ | $ 441 | $ 4.410 |
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Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
4.1 A, 4.6 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
WDFN
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
120 mΩ, 200 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1V
Disipación de Potencia Máxima
2.3 W
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
3,7 nC a 4,5 V, 5,5 nC a 4,5 V
Profundidad
2mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.75mm
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, ON Semiconductor
El NTJD1155L es un MOSFET de doble canal. Con los canales P y N en un solo paquete, este MOSFET es brillante para la señal de control baja, tensiones de batería bajas y corrientes de carga altas. El canal N ofrece protección ESD interna y puede ser impulsado por señales lógicas tan bajas como 1,5 V, mientras que el canal P está diseñado para ser utilizado en aplicaciones de conmutación de carga. El canal P también diseñado con la tecnología de trinchera ON semi.