MOSFET onsemi NTJD4401NT1G, VDSS 20 V, ID 910 mA, SC-88 de 6 pines, 2elementos
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
910 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-88
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
440 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
550 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 4,5 V
Longitud
2.2mm
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
Estándar de automoción
AEC-Q101
País de Origen
China
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$ 76
Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)
$ 90,44
Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)
3000
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N
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910 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
20 (canal N) V, -20 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SC-88
Tipo de montaje
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6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
440 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
550 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±12 V
Profundidad
1.35mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Carga Típica de Puerta @ Vgs
1,3 nC a 4,5 V
Longitud
2.2mm
Altura
1mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Tensión de diodo directa
1.1V
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