MOSFET onsemi NTHD4102PT1G, VDSS 20 V, ID 4,1 A, ChipFET de 8 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 780-0589Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTHD4102PT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

20 (canal N) V, -20 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

ChipFET

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

170 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

2.1 W

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±8 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

7,6 nC a 4,5 V

Ancho

1.7mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.1mm

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 1.113

Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 1.324,47

Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Cinta
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50 - 100$ 839$ 20.975
125 - 225$ 636$ 15.900
250 - 475$ 634$ 15.850
500+$ 630$ 15.750

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P

Maximum Continuous Drain Current

4.1 A

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Tipo de Encapsulado

ChipFET

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

170 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

2.1 W

Transistor Configuration

Isolated

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±8 V

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3.1mm

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Ancho

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Si

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2

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