MOSFET onsemi NTA7002NG, VDSS 30 V, ID 150 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 780-0501Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: NTA7002NT1G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

150 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Ancho

0.9mm

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

1.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

0.8mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N con diodo Schottky, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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$ 359

Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)

$ 427,21

Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi NTA7002NG, VDSS 30 V, ID 150 mA, SC-75 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 50.

Producción -

Disponible en múltiplos de 50.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

50

Disponible en múltiplos de 50
50$ 17.950
100$ 35.900
150$ 53.850
200$ 71.800
250$ 89.750
300$ 107.700
350$ 125.650
400$ 143.600
450$ 161.550
500$ 164.500
550$ 180.950
600$ 197.400
650$ 213.850
700$ 230.300
750$ 246.750

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150$ 53.850
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250$ 89.750
300$ 107.700
350$ 125.650
400$ 143.600
450$ 161.550
500$ 164.500
550$ 180.950
600$ 197.400
650$ 213.850
700$ 230.300
750$ 246.750

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
50 - 450$ 359$ 17.950
500 - 1200$ 329$ 16.450
1250 - 2450$ 310$ 15.500
2500 - 4950$ 285$ 14.250
5000+$ 262$ 13.100

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de Encapsulado

SC-75

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

1.5V

Disipación de Potencia Máxima

300 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±10 V

Ancho

0.9mm

Material del transistor

Si

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

1.65mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

0.8mm

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