Transistor Darlington, NJVMJD122G, NPN 8 A, 100 V, HFE:100, DPAK (TO-252), 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
NPN
Corriente Máxima Continua del Colector
8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Altura
2.38mm
Profundidad
6.22mm
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.73mm
País de Origen
Malaysia
Datos del producto
Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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$ 330
Each (On a Reel of 2500) (Sin IVA)
$ 392,70
Each (On a Reel of 2500) (IVA Incluido)
2500
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NPN
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8 A
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Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
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Tipo de montaje
Surface Mount
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3
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Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
4 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
10µA
Altura
2.38mm
Profundidad
6.22mm
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Dimensiones
6.73 x 6.22 x 2.38mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
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