Transistor Darlington, MJD117G, PNP 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple

Name: Transistor Darlington, MJD117G, PNP 4 A, 100 V, HFE:200, DPAK (TO-252), 3 pines Simple
Brand: onsemi
SKU: 1632497
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 163-2497Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: MJD117T4G

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Transistor

PNP

Corriente Máxima Continua del Colector

4 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

100 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

Ganancia Mínima de Corriente DC

200

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

4 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

0.02mA

Longitud

6.73mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

2.38mm

Profundidad

6.22mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Dimensiones

6.73 x 6.22 x 2.38mm

Datos del producto

Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

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$ 392

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$ 466,48

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Tipo de Transistor

PNP

Corriente Máxima Continua del Colector

4 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

100 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

Ganancia Mínima de Corriente DC

200

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

4 V

Maximum Collector Base Voltage

100 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

3 V

Corriente de Corte Máxima del Colector

0.02mA

Longitud

6.73mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Altura

2.38mm

Profundidad

6.22mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Dimensiones

6.73 x 6.22 x 2.38mm

Datos del producto

Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor

Standards

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