Transistor Darlington, MJ11016G, NPN 30 A, 120 V, HFE:200, TO-204, 3 pines Simple

Código de producto RS: 463-000PMarca: onsemiNúmero de parte de fabricante: MJ11016G
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Transistor

NPN

Corriente Máxima Continua del Colector

30 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

120 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Tipo de Encapsulado

TO-204

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Transistor Configuration

Single

Número de Elementos por Chip

1

Ganancia Mínima de Corriente DC

200

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

5 V

Maximum Collector Base Voltage

120 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

4 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+200 °C

Longitud

39.37mm

Profundidad

26.67mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

8.51mm

Dimensiones del Cuerpo

39.37 x 26.67 x 8.51mm

Datos del producto

Transistores Darlington NPN, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

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P.O.A.

Transistor Darlington, MJ11016G, NPN 30 A, 120 V, HFE:200, TO-204, 3 pines Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 2.

Producción -

Disponible en múltiplos de 2.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

2

Disponible en múltiplos de 2
2P.O.A.
4P.O.A.
6P.O.A.
8P.O.A.
10P.O.A.
12P.O.A.
14P.O.A.
16P.O.A.
18P.O.A.
20P.O.A.
22P.O.A.
24P.O.A.
26P.O.A.
28P.O.A.
30P.O.A.

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NPN

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5 V

Tipo de Encapsulado

TO-204

Tipo de montaje

Through Hole

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3

Transistor Configuration

Single

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1

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200

Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor

5 V

Maximum Collector Base Voltage

120 V

Maximum Collector Emitter Saturation Voltage

4 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+200 °C

Longitud

39.37mm

Profundidad

26.67mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

8.51mm

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