Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Corriente Continua Máxima Directa
20A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
650V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Schottky Diode
Tipo de Diodo
SiC Schottky
Conteo de Pines
2
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
SiC Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
1.1kA
País de Origen
China
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Brand
onsemiTipo de montaje
Through Hole
Tipo de Encapsulado
TO-220F
Corriente Continua Máxima Directa
20A
Tensión Repetitiva Inversa de Pico
650V
Configuración de diodo
Single
Tipo de Rectificador
Schottky Diode
Tipo de Diodo
SiC Schottky
Conteo de Pines
2
Número de Elementos por Chip
1
Tecnología de diodo
SiC Schottky
Peak Non-Repetitive Forward Surge Current
1.1kA
País de Origen
China