MOSFET onsemi FDP2532, VDSS 150 V, ID 8 A, TO-220AB de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 124-1748Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDP2532
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

8 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

150 V

Serie

PowerTrench

Tipo de Encapsulado

TO-220AB

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

310000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Ancho

4.83mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

82 nC a 10 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+175 °C

Altura

9.4mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, hasta 9,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 3.994

Each (In a Tube of 50) (Sin IVA)

$ 4.752,86

Each (In a Tube of 50) (IVA Incluido)

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100 - 200$ 3.835$ 191.750
250+$ 3.715$ 185.750

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TO-220AB

Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

16 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

2V

Disipación de Potencia Máxima

310000 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

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Ancho

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1

Material del transistor

Si

Longitud

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Altura

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