MOSFET onsemi FDMA8051L, VDSS 40 V, ID 10 A, MicroFET 2 x 2 de 6 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 864-8170Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDMA8051L
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

40 V

Tipo de Encapsulado

MicroFET 2 x 2

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

2,4 W, 900 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

14 nC a 10 V

Profundidad

2mm

Material del transistor

Si

Serie

PowerTrench

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

0.75mm

Datos del producto

MOSFET de canal N PowerTrench®, de 10 A a 19,9 A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 1.208

Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)

$ 1.437,52

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
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250 - 490$ 1.112$ 11.120
500+$ 1.088$ 10.880

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N

Maximum Continuous Drain Current

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Tipo de montaje

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6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

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Si

Serie

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