MOSFET onsemi FDD6637, VDSS 35 V, ID 55 A, DPAK (TO-252) de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 759-9093Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: FDD6637
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

54,9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

35 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

PowerTrench

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

57000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.73mm

Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.39mm

Datos del producto

MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 2.019

Each (In a Pack of 5) (Sin IVA)

$ 2.402,61

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500 - 995$ 1.087$ 5.435
1000+$ 882$ 4.410

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P

Maximum Continuous Drain Current

54,9 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

35 V

Tipo de Encapsulado

DPAK (TO-252)

Serie

PowerTrench

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

19 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

57000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-25 V, +25 V

Carga Típica de Puerta @ Vgs

45 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Largo

6.73mm

Profundidad

6.22mm

Material del transistor

Si

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Altura

2.39mm

Datos del producto

MOSFET de canal P para aplicaciones de automoción, Fairchild Semiconductor

Fairchild Semiconductor proporciona soluciones que resuelven problemas complejos en el mercado de la automoción con minuciosos estándares de calidad, seguridad y fiabilidad.

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ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
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