MOSFET onsemi FCU360N65S3R0, VDSS 650 V, ID 10 A, IPAK de 3 pines, config. Simple

Brand

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

10 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

IPAK

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

360 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

6.8mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

18 nC a 10 V

Ancho

2.5mm

Número de Elementos por Chip

1

Tensión de diodo directa

1.2V

Altura

6.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

País de Origen

China