MOSFET onsemi FCA22N60N, VDSS 600 V, ID 22 A, TO-3PN de 3 pines, , config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
22,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
600 V
Tipo de Encapsulado
TO-3PN
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
165 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
205000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs
45 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Longitud:
15.8mm
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Series
SupreMOS
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild aporta una nueva generación de MOSFET Super-Junction y SupreMOS® de 600 V.
La combinación de su baja RDS(on) y la carga de compuerta total aporta un factor de mérito (FOM) un 40 por ciento inferior en comparación con los MOSFET SuperFET™ de 600 V de Fairchild. Además, la familia SupreMOS ofrece una carga de compuerta baja para la misma RDS(on), lo que proporciona un excelente rendimiento de conmutación y un 20 por ciento menos pérdidas conducción y conmutación, lo que ofrece una mayor eficicacia.
Estas características permiten fuentes de alimentación para cumplir la clasificación Oro ENERGY STAR® 80 PLUS para PC de sobremesa y la clasificación Platino para servidores.
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
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P.O.A.
Empaque de Producción (Tubo)
1
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Tipo de montaje
Through Hole
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3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
165 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima
2V
Disipación de Potencia Máxima
205000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V
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Número de Elementos por Chip
1
Temperatura de funcionamiento máxima
+150 ºC
Longitud:
15.8mm
Profundidad
5mm
Material del transistor
Si
Series
SupreMOS
Mínima Temperatura de Funcionamiento
-55 °C
Altura
20.1mm
País de Origen
China
Datos del producto
MOSFET SupreMOS®, Fairchild Semiconductor
Fairchild aporta una nueva generación de MOSFET Super-Junction y SupreMOS® de 600 V.
La combinación de su baja RDS(on) y la carga de compuerta total aporta un factor de mérito (FOM) un 40 por ciento inferior en comparación con los MOSFET SuperFET™ de 600 V de Fairchild. Además, la familia SupreMOS ofrece una carga de compuerta baja para la misma RDS(on), lo que proporciona un excelente rendimiento de conmutación y un 20 por ciento menos pérdidas conducción y conmutación, lo que ofrece una mayor eficicacia.
Estas características permiten fuentes de alimentación para cumplir la clasificación Oro ENERGY STAR® 80 PLUS para PC de sobremesa y la clasificación Platino para servidores.
MOSFET Transistors, ON Semi
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