Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
20 to 40mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
25 V
Maximum Drain Gate Voltage
-25V
Transistor Configuration
Fuente común
Configuration
Dual
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CPH
Conteo de Pines
6
Capacidad Drenador-Fuente
6pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.3pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.9mm
Profundidad
1.6mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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$ 257
Each (In a Pack of 10) (Sin IVA)
$ 305,83
Each (In a Pack of 10) (IVA Incluido)
10
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25 V
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Dual
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CPH
Conteo de Pines
6
Capacidad Drenador-Fuente
6pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.3pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.9mm
Profundidad
1.6mm
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.