Transistor, BD13910S, NPN 1,5 A 80 V TO-126, 3 pines, Simple

Código de producto RS: 802-2966Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: BD13910STU
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Transistor

NPN

Corriente DC Máxima del Colector

1.5 A

Tensión Máxima Colector-Emisor

80 V

Tipo de Encapsulado

TO-126

Tipo de montaje

Through Hole

Disipación de Potencia Máxima

12.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

Conteo de Pines

3

Número de Elementos por Chip

1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Dimensiones del Cuerpo

8.3 x 3.45 x 11.2mm

Datos del producto

Transistores NPN de pequeña señal, 60 V a 100 V, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

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$ 707

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 841,33

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

Transistor, BD13910S, NPN 1,5 A 80 V TO-126, 3 pines, Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 14.140
40$ 28.280
60$ 42.420
80$ 56.560
100$ 50.000
120$ 60.000
140$ 70.000
160$ 80.000
180$ 90.000
200$ 100.000
220$ 110.000
240$ 120.000
260$ 130.000
280$ 140.000
300$ 150.000

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20

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40$ 28.280
60$ 42.420
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100$ 50.000
120$ 60.000
140$ 70.000
160$ 80.000
180$ 90.000
200$ 100.000
220$ 110.000
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260$ 130.000
280$ 140.000
300$ 150.000

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 80$ 707$ 14.140
100 - 480$ 500$ 10.000
500 - 980$ 408$ 8.160
1000 - 1980$ 330$ 6.600
2000+$ 283$ 5.660

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NPN

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80 V

Tipo de Encapsulado

TO-126

Tipo de montaje

Through Hole

Disipación de Potencia Máxima

12.5 W

Transistor Configuration

Single

Maximum Collector Base Voltage

80 V

Tensión Máxima Emisor-Base

5 V

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3

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1

Máxima Temperatura de Funcionamiento

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Dimensiones del Cuerpo

8.3 x 3.45 x 11.2mm

Datos del producto

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Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

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