JFET, 2SK3557-7-TB-E, N-Canal, 15 V, Único, CP, 3-Pines Simple

Name: JFET, 2SK3557-7-TB-E, N-Canal, 15 V, Único, CP, 3-Pines Simple
Brand: onsemi
SKU: 1632021
Availability: LimitedAvailability

Código de producto RS: 163-2021Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: 2SK3557-7-TB-E

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

16 to 32mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

Conteo de Pines

Capacidad Drenador-Fuente

10pF

Capacidad Fuente-Puerta

2.9pF

Dimensiones

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Altura

1.1mm

Ancho

1.5mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2.9mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

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$ 190

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

$ 226,10

Each (On a Reel of 3000) (IVA Incluido)

JFET, 2SK3557-7-TB-E, N-Canal, 15 V, Único, CP, 3-Pines Simple

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Brand

onsemi

Tipo de Canal

Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss

16 to 32mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

15 V

Maximum Drain Gate Voltage

-15V

Transistor Configuration

Single

Configuration

Single

Tipo de montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

Conteo de Pines

Capacidad Drenador-Fuente

10pF

Capacidad Fuente-Puerta

2.9pF

Dimensiones

2.9 x 1.5 x 1.1mm

Altura

1.1mm

Ancho

1.5mm

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

2.9mm

País de Origen

China

Datos del producto

JFET de canal N, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.