Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Profundidad
1.5mm
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
25
P.O.A.
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Brand
onsemiTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 to 20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Configuration
Single
Transistor Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Profundidad
1.5mm
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.