MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 671-4733Marca: onsemiNúmero de parte de fabricante: 2N7000
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

onsemi

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

200 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

TO-92

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

400 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

5.2mm

Ancho

4.19mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

5.33mm

Datos del producto

MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

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$ 438

Each (In a Pack of 20) (Sin IVA)

$ 521,22

Each (In a Pack of 20) (IVA Incluido)

MOSFET onsemi 2N7000, VDSS 60 V, ID 200 mA, TO-92 de 3 pines, , config. Simple
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Estándar - each

Disponible en múltiplos de 20.

Producción -

Disponible en múltiplos de 20.

Recomendado para pedidos en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

20

Disponible en múltiplos de 20
20$ 8.760
40$ 13.480
60$ 20.220
80$ 26.960
100$ 30.000
120$ 36.000
140$ 42.000
160$ 48.000
180$ 54.000
200$ 51.800
220$ 56.980
240$ 62.160
260$ 67.340
280$ 72.520
300$ 77.700

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40$ 13.480
60$ 20.220
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100$ 30.000
120$ 36.000
140$ 42.000
160$ 48.000
180$ 54.000
200$ 51.800
220$ 56.980
240$ 62.160
260$ 67.340
280$ 72.520
300$ 77.700

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
20 - 20$ 438$ 8.760
40 - 80$ 337$ 6.740
100 - 180$ 300$ 6.000
200 - 380$ 259$ 5.180
400+$ 254$ 5.080

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Tipo de montaje

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3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta mínima

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Disipación de Potencia Máxima

400 mW

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Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

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1

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud

5.2mm

Ancho

4.19mm

Material del transistor

Si

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Altura

5.33mm

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MOSFET de canal N para modo de mejora, Fairchild Semiconductor

Los transistores de efecto de campo (FET) para modo de mejora se producen utilizando la exclusiva tecnología DMOS de alta densidad celular de Fairchild. Este proceso de alta densidad se ha diseñado para minimizar la resistencia en funcionamiento, proporcionar un rendimiento fiable y resistente y una conmutación rápida.

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