Transistor Darlington, 2N6667G, PNP 10 A, 60 V, HFE:1000, TO-220AB, 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
onsemiTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
10 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
60 V
Tensión Máxima Emisor-Base
5 V
Tipo de Encapsulado
TO-220AB
Tipo de montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
1000
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V dc
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
3 V dc
Disipación de Potencia Máxima
65 W
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
Longitud
10.28mm
Altura
15.75mm
Ancho
4.82mm
Dimensiones del Cuerpo
10.28 x 4.82 x 15.75mm
Datos del producto
Transistores Darlington PNP, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
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P.O.A.
10
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Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
4.5 V dc
Maximum Collector Base Voltage
60 V dc
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Temperatura Mínima de Funcionamiento
-65 °C
Temperatura Máxima de Operación
+150 ºC
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Altura
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Ancho
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