Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
12.5V
Tensión Mínima de Ruptura
5.2V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Conteo de Pines
3
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
16A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones
1.25 x 0.85 x 0.55mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Altura
0.55mm
Ancho
0.85mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Tensión de trabajo
5V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
0.55pF
Longitud:
1.25mm
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P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
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ON SemiconductorTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Array
Tensión Residual Máxima
12.5V
Tensión Mínima de Ruptura
5.2V
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
SOT-723
Conteo de Pines
3
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
16A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Dimensiones
1.25 x 0.85 x 0.55mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Altura
0.55mm
Ancho
0.85mm
Corriente de Prueba
1mA
Corriente de Fugas Inversa Máxima
1µA
Tensión de trabajo
5V
Estándar de automoción
AEC-Q101
Capacidad
0.55pF
Longitud:
1.25mm