MOSFET onsemi NTP082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-220 de 3 + Tab pines, config. Simple

Name: MOSFET onsemi NTP082N65S3F, VDSS 650 V, ID 40 A, TO-220 de 3 + Tab pines, config. Simple
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1728782

Código de producto RS: 172-8782Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: NTP082N65S3F

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

82 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

313 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

81 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

Ancho

4.7mm

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

16.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

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P.O.A.

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800

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Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

-40 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

82 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

Tensión de umbral de puerta mínima

Disipación de Potencia Máxima

313 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud:

10.67mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

81 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

Ancho

4.7mm

Tensión de diodo directa

1.3V

Altura

16.3mm

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C