Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Cátodo común
Tensión Residual Máxima
38V
Tensión Mínima de Ruptura
25.65V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tensión de Corte Inversa Máxima
22V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
40W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Corriente de Fugas Inversa Máxima
50nA
Altura
0.94mm
Corriente de Prueba
1mA
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.3mm
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P.O.A.
Estándar
100
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100
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ON SemiconductorTipo de Dirección
Uni-Directional
Configuración de diodo
Cátodo común
Tensión Residual Máxima
38V
Tensión Mínima de Ruptura
25.65V
Tipo de Montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Tensión de Corte Inversa Máxima
22V
Conteo de Pines
3
Disipación de Potencia de Pulso de Pico
40W
Corriente de Pulsos de Pico Máxima
1A
Protección ESD
Yes
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura Mínima de Funcionamiento
-55 °C
Dimensiones
2.9 x 1.3 x 0.94mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Corriente de Fugas Inversa Máxima
50nA
Altura
0.94mm
Corriente de Prueba
1mA
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.3mm