Circuito de línea de retardo MC100EP195BMNG, 1024-Derivaciones 12.2ns 10-Entradas, 32-Pines QFN
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
QFN EP
Conteo de Pines
32
Dimensiones del Cuerpo
5 x 5 x 0.95mm
Número Total de Derivaciones
1024
Altura
0.95mm
Longitud
5mm
Retardo a la Primera Derivación
2.2ns
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Tiempo Máximo de Retardo
12.2ns
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Number of Independent Delay Inputs
10
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Profundidad
5mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Datos del producto
Líneas de retardo, On Semiconductor
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
QFN EP
Conteo de Pines
32
Dimensiones del Cuerpo
5 x 5 x 0.95mm
Número Total de Derivaciones
1024
Altura
0.95mm
Longitud
5mm
Retardo a la Primera Derivación
2.2ns
Tensión de Alimentación Máxima de Funcionamiento
3.6 V
Tiempo Máximo de Retardo
12.2ns
Temperatura máxima de funcionamiento
+85 °C.
Number of Independent Delay Inputs
10
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-40 ºC
Profundidad
5mm
Tensión de Alimentación de Funcionamiento Mínima
3 V
Datos del producto