Par Darlington, KSH127TF, PNP -8 A, 100 V, HFE:100, DPAK (TO-252), 3 pines Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
PNP
Corriente Máxima Continua del Colector
-8 A
Tensión Máxima Colector-Emisor
100 V
Tensión Máxima Emisor-Base
-5 V
Tipo de Encapsulado
DPAK (TO-252)
Tipo de montaje
Surface Mount
Conteo de Pines
3
Transistor Configuration
Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
-4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
Maximum Collector Emitter Saturation Voltage
-2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-10µA
Altura
2.3mm
Ancho
6.8mm
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Dimensiones
6.6 x 6.8 x 2.3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.6mm
Datos del producto
Transistores PNP Darlington, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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P.O.A.
2000
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3
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Single
Número de Elementos por Chip
1
Ganancia Mínima de Corriente DC
100
Tensión de Saturación Máxima Base-Emisor
-4.5 V
Maximum Collector Base Voltage
-100 V
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-2 V
Corriente de Corte Máxima del Colector
-10µA
Altura
2.3mm
Ancho
6.8mm
Disipación de Potencia Máxima
20000 mW
Dimensiones
6.6 x 6.8 x 2.3mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud
6.6mm
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Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
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