Emisor conmutado, FJP2145TU, NPN 5 A 0.202V TO-220, 3 pines
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Transistor
NPN
Corriente DC Máxima del Colector
5 A
Tipo de Encapsulado
TO-220
Tipo de montaje
Through Hole
Disipación de Potencia Máxima
120000 mW
Ganancia Mínima de Corriente DC
8
Conteo de Pines
3
Temperatura Mínima de Operación
-55 °C
Dimensiones del Cuerpo
10.67 x 4.83 x 16.51mm
Temperatura máxima de funcionamiento
125 °C
Datos del producto
Transistor de potencia ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistores de potencia NPN bipolares diseñados para usar en configuraciones ESBC™ (emisor-conmutado bipolar/cascode MOSFET) junto con los correspondientes dispositivos MOSFET de potencia. Esta configuración de interruptor de potencia proporciona una mayor eficiencia, flexibilidad y solidez, además, la potencia de transmisión se minimiza debido a la ausencia de capacitancia Miller en el diseño.
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
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Transistor de potencia ESBC™, Fairchild Semiconductor
Transistores de potencia NPN bipolares diseñados para usar en configuraciones ESBC™ (emisor-conmutado bipolar/cascode MOSFET) junto con los correspondientes dispositivos MOSFET de potencia. Esta configuración de interruptor de potencia proporciona una mayor eficiencia, flexibilidad y solidez, además, la potencia de transmisión se minimiza debido a la ausencia de capacitancia Miller en el diseño.
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