MOSFET onsemi FDMS1D5N03, VDSS 30 V, ID 218 A, PQFN de 8 pines, 2elementos, config. Simple

Código de producto RS: 146-3375Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FDMS1D5N03
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

218 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 (canal N) V, -30 (canal P) V

Tipo de Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,15 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Profundidad

5.85mm

Número de Elementos por Chip

2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

99 a 10 V nC

Altura

1.05mm

Serie

PowerTrench

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.3V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 30V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET onsemi FDMS1D5N03, VDSS 30 V, ID 218 A, PQFN de 8 pines, 2elementos, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

P.O.A.

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3000P.O.A.
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N

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Tipo de Encapsulado

PQFN

Tipo de montaje

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Conteo de Pines

8

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

1,15 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2V

Tensión de umbral de puerta mínima

0.8V

Disipación de Potencia Máxima

83000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±16 V

Profundidad

5.85mm

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2

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Altura

1.05mm

Serie

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