MOSFET onsemi FCPF165N65S3R0L, VDSS 650 V, ID 19 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple

Name: MOSFET onsemi FCPF165N65S3R0L, VDSS 650 V, ID 19 A, TO-220F de 3 pines, config. Simple
Brand: ON Semiconductor
SKU: 1784244

Código de producto RS: 178-4244Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FCPF165N65S3R0L

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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

35000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

4.6mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 10 V

Altura

15.7mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China

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P.O.A.

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Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO-220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

35000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V

Ancho

4.6mm

Número de Elementos por Chip

Temperatura máxima de funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 10 V

Altura

15.7mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

País de Origen

China