MOSFET onsemi FCPF165N65S3, VDSS 650 V, ID 19 A, TO220F de 3 pines, 2elementos, config. Simple

Código de producto RS: 146-4114Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: FCPF165N65S3L1
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

650 V

Tipo de Encapsulado

TO220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

35000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V ac/dc

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 10 V

Ancho

4.6mm

Altura

15.7mm

Serie

SuperFET III

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

19 A

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650 V

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TO220F

Tipo de montaje

Through Hole

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

165 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.5V

Disipación de Potencia Máxima

35000 mW

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±30 V ac/dc

Número de Elementos por Chip

2

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

10.3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

35 nC a 10 V

Ancho

4.6mm

Altura

15.7mm

Serie

SuperFET III

Mínima Temperatura de Funcionamiento

-55 °C

Tensión de diodo directa

1.2V

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