MOSFET onsemi FCH040N65S3-F155, VDSS 650 V, ID 65 A, TO-247 de 3 pines, 2elementos, config. Simple
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
SuperFET III
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
417000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V ac/dc
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
136 a 10 V nC
Ancho
5.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
21.08mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto
MOSFET de potencia de canal N, 100 V a 1700 V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
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Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
65 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
650 V
Tipo de Encapsulado
TO-247
Series
SuperFET III
Tipo de Montaje
Through Hole
Conteo de Pines
3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
40 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
4.5V
Tensión de umbral de puerta mínima
2.5V
Disipación de Potencia Máxima
417000 mW
Transistor Configuration
Single
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±30 V ac/dc
Temperatura Máxima de Funcionamiento
+150 ºC
Largo
16.26mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
136 a 10 V nC
Ancho
5.3mm
Número de Elementos por Chip
2
Tensión de diodo directa
1.2V
Altura
21.08mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Datos del producto