Diodo, EGP30J, 3A, 600V Conexión de silicio, 75ns, DO-201AD, 2-Pines 1.7V, Conexión de silicio

Código de producto RS: 146-2155Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: EGP30J
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Número de Elementos por Chip

1

Conteo de Pines

2

Tecnología de diodo

Silicon Junction

Tipo de Diodo

Silicon Junction

Configuración de diodo

Single

Corriente Continua Máxima Directa

3A

Diámetro

5.6mm

Tensión Repetitiva Inversa de Pico

600V

Tipo de montaje

Through Hole

Caída de tensión directa máxima

1.7V

Tiempo de Recuperación Inverso de Pico

75ns

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

125A

Tipo de Encapsulado

DO-201AD

Brand

ON Semiconductor

Datos del producto

Acopladores roscados hembra cilíndricos BSP

Estándar: ISO 4414

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P.O.A.

Diodo, EGP30J, 3A, 600V Conexión de silicio, 75ns, DO-201AD, 2-Pines 1.7V, Conexión de silicio

1250

Disponible en múltiplos de 1250
1250P.O.A.
2500P.O.A.
3750P.O.A.
5000P.O.A.
6250P.O.A.
7500P.O.A.
8750P.O.A.
10000P.O.A.
11250P.O.A.
12500P.O.A.
13750P.O.A.
15000P.O.A.
16250P.O.A.
17500P.O.A.
18750P.O.A.

P.O.A.

Diodo, EGP30J, 3A, 600V Conexión de silicio, 75ns, DO-201AD, 2-Pines 1.7V, Conexión de silicio
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1250

Disponible en múltiplos de 1250
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5.6mm

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Caída de tensión directa máxima

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