MOSFET onsemi CPH6442-TL-E, VDSS 60 V, ID 6 A, CPH de 6 pines, config. Simple

Código de producto RS: 145-3889Marca: ON SemiconductorNúmero de parte de fabricante: CPH6442-TL-E
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

ON Semiconductor

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

6 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

CPH

Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.6V

Disipación de Potencia Máxima

1.6 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

2.9mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

20 nC a 10 V

Profundidad

1.6mm

Número de Elementos por Chip

1

Altura

0.9mm

País de Origen

Japan

Datos del producto

MOSFET de potencia de canal N, 60V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

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P.O.A.

MOSFET onsemi CPH6442-TL-E, VDSS 60 V, ID 6 A, CPH de 6 pines, config. Simple

3000

Disponible en múltiplos de 3000
3000P.O.A.
6000P.O.A.
9000P.O.A.
12000P.O.A.
15000P.O.A.
18000P.O.A.
21000P.O.A.
24000P.O.A.
27000P.O.A.
30000P.O.A.
33000P.O.A.
36000P.O.A.
39000P.O.A.
42000P.O.A.
45000P.O.A.

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N

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Tipo de montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

65 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.6V

Disipación de Potencia Máxima

1.6 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Máxima Temperatura de Funcionamiento

+150 ºC

Material del transistor

Si

Longitud

2.9mm

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