Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 → 20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CPH
Conteo de Pines
5
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.9mm
Profundidad
1.6mm
Datos del producto
Transistor bipolar NPN y JFET, ON Semiconductor
Encapsulado SMT compacto que incorpora un transistor NPN bipolar y un transistor JFET de canal N. En algunos dispositivos, el emisor NPN y el drenador JFET comparten la misma conexión.
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P.O.A.
20
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20
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Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
10 → 20mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
15 V
Maximum Drain Gate Voltage
-15V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
CPH
Conteo de Pines
5
Capacidad Drenador-Fuente
10pF
Capacidad Fuente-Puerta
2.9pF
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.6 x 0.9mm
Temperatura máxima de funcionamiento
+150 ºC
Longitud
2.9mm
Altura
0.9mm
Profundidad
1.6mm
Datos del producto
Transistor bipolar NPN y JFET, ON Semiconductor
Encapsulado SMT compacto que incorpora un transistor NPN bipolar y un transistor JFET de canal N. En algunos dispositivos, el emisor NPN y el drenador JFET comparten la misma conexión.