Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.05 → 0.13mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm
Volver a intentar más tarde
Vuelva a verificar más tarde.
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
0.05 → 0.13mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
40 V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 Ω
Tipo de montaje
Surface Mount
Tipo de Encapsulado
SOT-23-5
Conteo de Pines
3
Dimensiones del Cuerpo
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
2.9mm
Altura
1.1mm
Profundidad
1.5mm