Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
4pF
Capacidad Fuente-Puerta
1.1pF
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
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P.O.A.
3000
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3000
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ON SemiconductorTipo de Canal
N
Corriente de desconexión de drenaje de tensión Idss
1.2 to 3mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Maximum Drain Gate Voltage
-30V
Transistor Configuration
Single
Configuration
Single
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
200 Ω
Tipo de montaje
Montaje superficial
Tipo de Encapsulado
CP
Conteo de Pines
3
Capacidad Drenador-Fuente
4pF
Capacidad Fuente-Puerta
1.1pF
Dimensiones
2.9 x 1.5 x 1.1mm
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Altura
1.1mm
Longitud:
2.9mm
Ancho
1.5mm
País de Origen
China
Datos del producto
JFET de canal N, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.