Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
65 V
Tipo de Encapsulado
CDFM
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
500000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
10.29mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
34.17mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Ganancia de Potencia Típica
13 dB
Altura
5.77mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto
MOSFET de canal N, NXP
MOSFET Transistors, NXP
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P.O.A.
1
P.O.A.
1
Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NXPTipo de Canal
N
Maximum Continuous Drain Current
25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente
65 V
Tipo de Encapsulado
CDFM
Tipo de montaje
Screw Mount
Conteo de Pines
5
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
150 mΩ
Modo de Canal
Mejora
Disipación de Potencia Máxima
500000 mW
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±20 V
Profundidad
10.29mm
Número de Elementos por Chip
2
Máxima Temperatura de Funcionamiento
+150 ºC
Longitud:
34.17mm
Temperatura Mínima de Operación
-65 °C
Ganancia de Potencia Típica
13 dB
Altura
5.77mm
País de Origen
Taiwan, Province Of China
Datos del producto