MOSFET Nexperia PMV55ENEAR, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple

Código de producto RS: 151-3187Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: PMV55ENEAR
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Brand

Nexperia

Tipo de Canal

N

Maximum Continuous Drain Current

3,1 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

-60 V

Tipo de Encapsulado

SOT-23-5

Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

120 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

8,36 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

Número de Elementos por Chip

1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

12,7 NC a 10 V.

Profundidad

1.4mm

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Estándar de automoción

AEC-Q101

Altura

1mm

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$ 418

Each (In a Pack of 25) (Sin IVA)

$ 497,42

Each (In a Pack of 25) (IVA Inc.)

MOSFET Nexperia PMV55ENEAR, VDSS 60 V, ID 3,1 A, SOT-23 de 3 pines, , config. Simple
Seleccionar tipo de embalaje

Estándar

Seleccionar tipo de embalaje

Estándar - each

Disponible en múltiplos de 25.

Producción -

Disponible en múltiplos de 25.

Recomendado para órdenes de compra en grandes cantidades. Los artículos se empaquetan listos para insertarlos en la maquinaria, lo que le permite mejorar la eficiencia de la producción.

25

Disponible en múltiplos de 25
25$ 10.450
50$ 20.900
75$ 31.350
100$ 41.800
125$ 52.250
150$ 62.700
175$ 73.150
200$ 83.600
225$ 94.050
250$ 56.500
275$ 62.150
300$ 67.800
325$ 73.450
350$ 79.100
375$ 84.750

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25

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75$ 31.350
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150$ 62.700
175$ 73.150
200$ 83.600
225$ 94.050
250$ 56.500
275$ 62.150
300$ 67.800
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375$ 84.750

Comprar en grandes cantidades

CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Pack
25 - 225$ 418$ 10.450
250 - 600$ 226$ 5.650
625 - 1225$ 221$ 5.525
1250 - 2475$ 216$ 5.400
2500+$ 210$ 5.250

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N

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Tipo de Montaje

Surface Mount

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

120 m.Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.7V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.3V

Disipación de Potencia Máxima

8,36 W

Transistor Configuration

Single

Tensión Máxima Puerta-Fuente

20 V

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1

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 ºC

Longitud

3mm

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