Documentos Técnicos
Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
220 mA, 400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-666
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,8 Ω, 7,8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a 4,5 V
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.6mm
País de Origen
Hong Kong
Datos del producto
MOSFET de canal N/P doble, Nexperia
MOSFET Transistors, NXP Semiconductors
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$ 397
Each (In a Pack of 50) (Sin IVA)
$ 472,43
Each (In a Pack of 50) (IVA Incluido)
Estándar
50
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50
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Especificaciones
Brand
NexperiaTipo de Canal
N, P
Maximum Continuous Drain Current
220 mA, 400 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente
30 (canal N) V, -30 (canal P) V
Tipo de Encapsulado
SOT-666
Tipo de montaje
Montaje superficial
Conteo de Pines
6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente
2,8 Ω, 7,8 Ω
Modo de Canal
Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima
1.1V
Tensión de umbral de puerta mínima
0.6V
Disipación de Potencia Máxima
500 mW
Transistor Configuration
Isolated
Tensión Máxima Puerta-Fuente
±8 V
Número de Elementos por Chip
2
Temperatura de Funcionamiento Máxima
+150 ºC
Longitud:
1.7mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs
0,52 nC a 4,5 V, 0,55 nC a 4,5 V
Ancho
1.3mm
Material del transistor
Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima
-55 °C
Altura
0.6mm
País de Origen
Hong Kong
Datos del producto