MOSFET Nexperia BSS84AKS,115, VDSS 50 V, ID 160 mA, SOT-363 de 6 pines, 2elementos, config. Aislado

Código de producto RS: 792-0917Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BSS84AKS
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Canal

P

Maximum Continuous Drain Current

160 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

50 V

Tipo de Encapsulado

SOT-363

Tipo de montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

320 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud:

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

0,26 nC a 5 V

Ancho

1.35mm

Material del transistor

Si

Número de Elementos por Chip

2

Altura

1mm

Temperatura Mínima de Operación

-55 °C

Datos del producto

MOSFET de canal P doble, Nexperia

MOSFET Transistors, NXP Semiconductors

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$ 412

Each (Supplied as a Tape) (Sin IVA)

$ 490,28

Each (Supplied as a Tape) (IVA Inc.)

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P

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Montaje superficial

Conteo de Pines

6

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

7.5 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.1V

Tensión de umbral de puerta mínima

1.1V

Disipación de Potencia Máxima

320 mW

Transistor Configuration

Isolated

Tensión Máxima Puerta-Fuente

±20 V

Temperatura Máxima de Operación

+150 ºC

Longitud:

2.2mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

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Ancho

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Material del transistor

Si

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