Diodo, BAV99,215, 215mA, 100V Conexión de silicio, 4ns, SOT-23 (TO-236AB), 3-Pines 1.25V, Alta velocidad

Código de producto RS: 103-7576Marca: NexperiaNúmero de parte de fabricante: BAV99,215
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Documentos Técnicos

Especificaciones

Tipo de Montaje

Surface Mount

Tipo de Encapsulado

SOT-23 (TO-236AB)

Corriente Continua Máxima Directa

215mA

Tensión Repetitiva Inversa de Pico

100V

Configuración de diodo

Series

Tipo de Rectificador

General Purpose

Tipo de Diodo

High Speed

Conteo de Pines

3

Caída de tensión directa máxima

1.25V

Número de Elementos por Chip

2

Tecnología de diodo

Silicon Junction

Tiempo de Recuperación Inverso de Pico

4ns

Peak Non-Repetitive Forward Surge Current

4A

País de Origen

China

Datos del producto

Diodos De Conmutación De Alta Velocidad Nexperia Bav99

Nexperia BAV99 es una serie de diodos de conmutación de alta velocidad. Se suministran en un encapsulado de plástico de montaje en superficie (SMD) que está disponible en varios tamaños.
Los diodos de conmutación BAV99 son ideales para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y protección de polaridad inversa. También cuentan con certificación AEC-Q101 y, por tanto, son adecuados para aplicaciones de automoción.

Características:
Velocidad de conmutación: TRR ≤ 4 ns
Corriente de fugas baja
Baja capacitancia

Versiones disponibles:
BAV99 - SOT23 (TO-236AB)
BAV99S - SOT363 (SC-88)
BAV99W - SOT323 (SC-70)

Diodes and Rectifiers

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$ 35

Each (On a Reel of 3000) (Sin IVA)

$ 41,65

Each (On a Reel of 3000) (IVA Inc.)

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CantidadPrecio Unitario sin IVAPor Rollo
3000 - 6000$ 35$ 105.000
9000+$ 34$ 102.000

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4ns

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4A

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Nexperia BAV99 es una serie de diodos de conmutación de alta velocidad. Se suministran en un encapsulado de plástico de montaje en superficie (SMD) que está disponible en varios tamaños.
Los diodos de conmutación BAV99 son ideales para aplicaciones de conmutación de alta velocidad y protección de polaridad inversa. También cuentan con certificación AEC-Q101 y, por tanto, son adecuados para aplicaciones de automoción.

Características:
Velocidad de conmutación: TRR ≤ 4 ns
Corriente de fugas baja
Baja capacitancia

Versiones disponibles:
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